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安森美半导体推出新的电源模块,为太阳能和工业电源应用提供高能效、省空间的方案

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时间:2018-11-08 13:37:50       来源:安森美半导体

新的功率集成模块将在Electronica展展出,配以最新的送78元彩金银河国际功率模块、MOSFET、IGBT和集成的电机驱动器,用于电源转换和电机控制

2018年11月8日 —推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了新的电源模块,在高度集成和紧凑的封装中提供极佳能效、可靠性和性能,增添至公司已然强固的电源半导体器件阵容。

太阳能逆变器、不间断电源(UPS)逆变级和工业变频驱动器(VFD)等应用中的功率级通常由分立的IGBT/MOSFET集成专用的驱动器和额外的分立器件构成。安森美半导体新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模块(PIM) 提供紧凑、高度集成的方案,采用易于贴装的封装,节省空间和降低成本,极大地减轻设计人员的挑战。

这些器件采用Q1和Q2封装,用于30 KW和50 KW逆变器,集成场截止沟槽IGBT和快速恢复二极管,提供更低的导通和开关损耗,并使设计人员能够在低VCE(SAT)和低EON / EOFF损耗之间折衷,以充分优化电路性能。直接键合铜(DBC)基底支持大电流,最大限度地降低寄生电感的影响,令设计人员实现高的开关速度,以及以12.7 mm的爬电距离提供3000 Vrms的隔离电压。

此外,安森美半导体还推出了新的、充分优化的、超紧凑的送78元彩金银河国际功率级(SPS)多芯片模块FDMF3170,用于服务器、数据中心、人工送78元彩金银河国际加速器和电信设备中的DC-DC 降压转换器。它集成两个基于安森美半导体PowerTrench®技术的高性能功率MOSFET,和一个具有高精度电流传感器的送78元彩金银河国际驱动器以实现最佳的处理器性能。

在Electronica展会的电源转换和电机控制技术演示

这两个新的电源模块将在Electronica展会期间在安森美半导体展台演示,突显基于半导体的高能效方案对于开发成功的电源转换和电机控制(PCMC)设计至关重要。展台演示将重点展现安森美半导体的方案在工业电源、太阳能和电机驱动器开创了领先地位,并将包括一个机器人展示以及太阳能和电池储能装置。

安森美半导体提供最广泛的电源半导体器件阵容,采用创新的封装格式,支持全球迈向更清洁、高可靠性和具性价比的能源设计。该阵容包括基于先进宽禁带(WBG)材料的器件、用于所有电机类型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驱动器。这些器件一起显著提高现代应用所需的高能效、可靠、紧凑和低成本的电源方案,持续推动能源革命。

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